Suche

Nitrogen Doped Silicon Carbide Process On Plasma Enhanced Cvd Tool

Ausschreibung

Allgemeine Informationen

China
   ti:0705-174016203747
   Apr 20, 2017
   Mai 9, 2017
   Englisch
   andere

Kontakt

   14F. Mei Li Yuan Mansion 358 Yan An Road (W), Shanghai, China Attn: Ma Qin
China
   +86-86-21-62791919-176

Güter, Baumaßnahmen und Leistungen

Mikroelektronische Maschinen und Geräte  

Originaltext

      
Tenders are invited for Nitrogen doped silicon carbide process on plasma enhanced cvd tool 1) Nitrogen doped Silicon Carbide Process on Plasma Enhanced CVD tool, Quantity: 1set Price of Bidding Documents: ??1000/$150/$150 Beginning of Selling Bidding Documents: 2017-04-10 Ending of Selling Bidding Documents: 2017-04-17 Deadline for Submitting Bids/Time of Bid Opening (Beijing Time): 2017-05-09 1330

Related documents:

http://d.infostores.biz/T38867916.html?id=PjE7Q2IheUlldXlVAkIWJAZuLmscE2x2VBUHNw==
Diese Ausschreibung dient nur zur Information.
Auch wenn wir stets bemüht sind, immer aktuelle und genaue Informationen Ihnen zur Verfügung zu stellen, können wir keine Garantie auf Richtigkeit der Inhalte übernehmen.
Wenn Sie Aktualisierungen/Korrekturen für diese Ausschreibung haben, bitte informieren Sie uns.